HVDIODE echte HVRW3 Hochfrequenz-Hochspannungsdiode 1.5A3KV150nS Glas stumpfen Chip Hochfrequenzbereich

punkt nr.: GP0009
Produktmerkmale: 1. Ausgezeichnete Stoßstromschutzeigenschaften; 2. Ansprechverhalten des Hochgeschwindigkeitsschalters; 3. Annahme einer neuen Epoxidharz-Vakuumverpackungstechnologie; Die Oberfläche ist korrosionsbeständig; 5, spezieller Hochtemperaturbe
beschreibung
Diese Reihe von Produkten ist weit verbreitet in:
Medizinische Geräte, elektrostatische Entstaubung, Sprühbeschichtung, Hochfrequenz-Heißsiegelung, Bugholztrocknung, Ölentwässerung und -entsalzung, Hochdruckdetektion, Plasmainjektion, Ionenbeschleuniger, Elektronenstrahlschweißen, Elektronenmikroskopie, Negativionen-Ozongenerator, Luftreinigung, Vakuumbeschichtung , Ultraschallreinigung, Hochenergiezündung, Röntgeninspektion, DR Medical Imaging, Industriemikrowelle, Radarmodulation, drahtloser Sendesender, Laserschneid- und Schweißgeräte und andere Gleichstromversorgungen, Impulsstromversorgungen und andere elektronische Geräte. Produktmarketing bundesweit und weltweit!

Die wichtigsten Merkmale dieser Produktserie:
1.Low Rückwärtsableitstrom, vorübergehender Überspannungsschutz von 10 ms;
2, Spannungsfestigkeit, mit Durchbruchschutzeigenschaften der Lawinenspannung;
3. Ausgezeichnete kontinuierliche Entladungseigenschaften;
4, Kann auch die exklusiven Produkte des Kunden nach Bedarf entwerfen und anpassen.
5, hohe Wärmebeständigkeit, PN-Übergangstemperaturbereich von 125 ℃ ~ 175 ℃ optional;
6. Wahlweise freigestellte vorgerückte Hochtemperaturglaspassivierungs-Spanverpackungstechnologie;
7, Umweltschutztechnologie, in Übereinstimmung mit internationalen Standards;
8. Führen Sie das internationale Qualitätsmanagementsystem ISO9001 strikt ein, um die Produktqualität zu kontrollieren.
9. Die neue Form- und Verpackungstechnologie gewährleistet die Feuchtigkeitsbeständigkeit des Produkts und hält der rauen Umgebung stand.

 

Grenzwert

Absolut

Maximum

Bewertungen

  Parametername
Gegenstand
Symbol
Symbol
Einheit
Einheit
Testbedingungen
Bedingungen
Wert
Spannung
Repetitive Peak-Re verse-Spannung
Repetitive Peak Backward Voltage
Vrrm KV Ta = 25 ≤ Ir = 2 μA 3
Peak Working Re verse-Spannung
Peak Working Backward Voltage
Vrwm KV Ta = 25 ≤ Ir = 2 μA 3
Durchschnittsstrom vorwärts
Durchschnittlicher Vorwärtsstrom
Wenn (AV) A Sinushalbwelle 50Hz, ohmsche Last, Tbreak = 50 ℃
(50-Hz-Halbsinuswelle, Widerstandslast bei T-Bruch = 50 ℃)
1.5
Umgekehrte Erholungszeit
Rückwärtswiederherstellungszeit
Trr nS   150
Vorwärts (nicht repetitiver) Einschaltstrom
Überspannungs-Vorwärtsstrom
Ifsm A Sinushalbwellendauer 0.01S 50Hz
0,01 S bei Halb-Sinus-Welle 50 Hz
40
Arbeitsumgebung temperatur
Betriebsumgebungstemperatur
Ta   -50 ~ + 150
Lagertemperatur
Lagertemperatur
Tstg   -40 ~ + 120

Elektrische Eigenschaften

Elektrik

Eigenschaften

Vorwärtsspitzenspannung
Vorwärtsspitzenspannung
Vfm V   ≥5.2
Spitzensperrstrom
Rückwärtsspitzenstrom
Irrm1 μA @ Ta = 25 ℃ VRM = VRRM 2,0
Irrm2 μA @ Ta = 100 ℃ VRM = VRRM 20,0